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三星電子海力士攜手開發下一代半導體技術
2008-06-26 01:37:56
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  原本互相競爭的三星電子和海力士為研發下一代半導體、國際標準化和擴大設備及材料國產化,決定攜手合作。此外,為搶先占領下一代半導體產品和設備材料市場,將首次由國內業界共同推進標準化戰略。

  知識經濟部25日稱:“三星電子和海力士決定積極推進三大技術合作,並將從9月份開始共同研發兆兆位級(萬億比特)下一代半導體‘STT-R隨機存儲器’的原創技術。”

  兩家公司計劃從2012年開始重點研發“STT-M隨機存儲器”,以滿足逐漸出現的市場需求。“STT-M隨機存儲器”是下一代存儲器中性能最好的產品,因此,一旦確保基礎技術,就可以每年節約5億美元的專利使用費。

  此外,為提高半導體設備及材料的國產化,三星電子和海力士決定在明年年底前追加購買6463億韓元的國產設備和材料。


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